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GaN HEMT射频器件参数测试

来源：admin 时间：2022-11-07 16:13 浏览量：149

GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors,氮化家高电子迁移率晶体管)作为宽禁带(WBG)半导体器件的代表,相比于Si和SiC器件,具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场。由于材料上的优势,GaN在高频率工作状态下具有优异的功率以及频率特性,和较低的功率损耗。 


GaN HEMT器件的评估一般包含直流特性(直流l-V测试)、频率特性(小信号S参数测试)、功率特性(Load-Pull测试)。

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